G5微缩工艺的突破推动存储密度实现跨越式提升：每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%*，在产品能效、成本控制上均具备显著优势。

（图片来源：上海证券报）

本次大会同步展出两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。

（图片来源：上海证券报）

长鑫存储表示，未来将持续面向全球市场需求推进技术迭代，推出更高性能、更高可靠性的存储产品，为全球数字产业发展提供坚实的底层存储支撑。

注：

有源区半间距、深宽比及核心功能区高度为实际产品测量数据，存在正常测量偏差。

提升比例基于与长鑫第四代技术平台的对比。每片晶圆产出裸片数量DPW均换算为8Gb颗粒基准统计。